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Dossier

半导体器件

InventionUnknown
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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

金善培; 全英敏; 吴胜贤; 崔晓择

Filing Date

Dec 5, 2025

Publication Date

Oct 16, 2026

IPC Classification

H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10W 20/43 (2026.01)

提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一有源图案,所述第一有源图案在第一方向上彼此间隔开;第一器件隔离层,所述第一器件隔离层在彼此相邻的所述第一有源图案之间;第一沟道图案,所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上;以及切割图案,所述切割图案在所述第一沟道图案之间垂直地延伸。所述切割图案包括第一部分和位于所述第一部分上的第二部分。在所述第一部分与所述第二部分之间的边界处,所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

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