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Dossier
形成半导体结构的方法、半导体结构和半导体处理系统
InventionUnknown
20Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
J·黄; 千承珠; 金河林; Y·辛; 金熙哲; 寓性柱
Filing Date
Apr 3, 2026
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10P 50/20 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 50/28 (2026.01)H10P 14/60 (2026.01)H10P 14/69 (2026.01)H10W 10/00 (2026.01)H10W 10/17 (2026.01)
提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在处理室中，在凹部的侧壁上沉积材料。该方法包括将蚀刻气体提供到处理室中。该方法包括将稀释气体提供到处理室中。该方法包括将等离子体提供到处理室中。
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