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公开了用于在半导体结构处理期间控制由各种加热源使用的功率量的方法、装置和系统。所公开的方法/装置/系统执行例如使用第一加热源加热设置在外延反应器系统的反应器室内的基座上的半导体结构，使用第二加热源加热基座，以及基于存储的数据控制第一加热源的第一功率或第二加热源的第二功率中的至少一个。

公开了经由吹扫过程从位于负载锁定室中的晶片表面除去残留物或从负载锁定室内部除去污染物。所公开的系统包括负载锁定室、配置成将吹扫气体提供到负载锁定室中的注入系统、配置成从负载锁定室除去气体的排气系统以及控制器。控制器可以通过以下从负载锁定室除去污染物和/或残留物：控制注入系统以在负载锁定室内部提供吹扫气体来增加负载锁定室内部的室压力，控制排气系统以从负载锁定室除去气体并减少室压力，然后控制注入系统以在负载锁定室内部提供吹扫气体并增加室压力。

公开了用于形成磷硅酸盐玻璃层的方法。示例性方法包括形成覆盖衬底的含硅层，并沉积覆盖衬底的含磷层。沉积的含磷层可以包括PO和/或表现出小于或等于500℃的熔化温度。沉积的含磷层可被加热以流动并氧化以提供所需的特性。

在一个实施例中，一种用于向衬底处理室供应气体的喷淋头结构，包括：第一板，其包括多个反应物气体入口孔和经由至少一个第一通道穿透第一板的至少一个源气体入口孔，其中第一通道水平地形成在第一板的内部；以及第二板，其包括从第二板的中心延伸到第二板边缘的凹部、多个反应物气体出口孔和多个源气体出口孔，其中多个第二通道将多个反应物气体入口孔连接到多个反应物气体出口孔。

一种碑状物结构系统和方法。一种出口通道具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一直径，第二部分具有第二直径，第一直径是第二直径的约1倍至约3倍，过渡部分设置在第一部分和第二部分之间，过渡部分具有倒角特征，其以与第二部分的外壁成约20度和约35度之间的角度设置。

在本公开的一个实施例中，一种用于减少寄生等离子体的装置包括：气体歧管；气体通道；以及绝缘体，其位于气体歧管和气体通道之间，以将气体通道与气体歧管电隔离，其中气体歧管是金属的并且接地以减少气体歧管内的寄生等离子体。

公开了在相同的过程条件下在相同的反应室中使用外延沉积方法进行硅纳米片回蚀以降低源极/漏极和硅纳米片界面电阻的方法和系统。回蚀可以是Cl热回蚀。

提供了用于在衬底的表面上形成材料的方法。该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，衬底包括第二材料；将第一材料层保形地沉积到衬底上；选择性地蚀刻第一材料的至少一部分；以及保形地沉积第一材料的第二层。沉积第一材料的步骤和选择性地蚀刻第一材料的步骤在同一反应室中进行。

提供了用于在衬底的表面上形成材料的方法。该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，衬底包括第二材料；将第一材料层保形地沉积到衬底上；选择性地蚀刻第一材料的至少一部分；以及保形地沉积第一材料的第二层。沉积第一材料的步骤和选择性地蚀刻第一材料的步骤在同一反应室中进行。

衬底加工装置，具有改善的排放效率和加工再现性，包括：多个反应器；多个排放端口，分别与多个反应器连通且关于反应器对称地布置；以及多个排放通道，与多个排放端口连通，其中每个排放通道包括多个排放通道，包括在第一方向上延伸的第一通道和在与第一方向不同的第二方向上延伸的第二通道，其中多个排放通道延伸穿过支撑多个反应器的至少一部分的部件。