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Dossier
改善晶圆边缘膜层剥离的方法及系统
InventionUnknown
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8Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
付先达; 许有超; 谭秀文; 肖酉
Filing Date
Jun 1, 2026
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10P 95/00 (2026.01)
本发明提供一种改善晶圆边缘膜层剥离的方法及系统。该方法包括:对晶圆进行背面金属化处理,在背面金属化处理过程中,使用遮挡屏蔽件对晶圆边缘进行遮挡,以减少金属在晶圆边缘立面的沉积;对背面金属化处理后的晶圆进行化学镀处理。本发明通过在背面金属化处理阶段引入遮挡屏蔽件,增大了对晶圆边缘的物理遮挡面积,有效降低了晶圆边缘立面的金属残留量,避免了后续化学镀工艺中引发的异常受镀现象,提升了受镀金属层与晶圆边缘的结合力,改善了膜层剥离缺陷,提高了器件良率。
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