用于在半导体工业中使用的材料的多步骤化学机械抛光方法

本发明涉及一种用于使用平坦化抛光机对平面衬底（Waf）进行抛光的方法（100），所述平坦化抛光机包括布置有抛光垫（Pol.Pad）的支撑板（Pl）、用于对抛光垫进行修整的修整头（Cond.Head）和用于将平面衬底（Waf）保持抵靠于抛光垫的头（Pol.Head），所述方法包括使用修整头（Cond.Head）对抛光垫（Pol.Pad）进行第一次修整的第一步骤（110），其中不对平面衬底（Waf）进行任何抛光操作；对平面衬底（Waf）进行第一次抛光的第二步骤（120），其中不对抛光垫进行任何修整操作；以及第三步骤（130），其中（i）进行平面衬底（Waf）的第二次抛光，同时（ii）进行抛光垫（Pol.Pad）的第二次修整。