光刻定位标记的制备方法

本申请提供一种光刻定位标记的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括于目标层上形成掩膜层；采用第一光刻刻蚀工艺图案化掩膜层，以在掩膜层中形成第一定位标记；采用第二光刻刻蚀工艺图案化掩膜层，以在掩膜层中形成第二定位标记；第一定位标记在目标层上的正投影和第二定位标记在所述目标层上的正投影错开。本申请能够避免掩膜层被刻穿，进而防止过度刻蚀位于定位标记下方的目标层，从而避免造成目标层损伤。