半导体存储器件

提供了一种半导体存储器件。本公开的半导体存储器件包括：衬底；字线，堆叠在衬底上；沟道区，设置在字线之间；第一接触结构，连接到沟道区的一端；第二接触结构，连接到沟道区的另一端；位线，与第一接触结构接触；以及电极结构，与第二接触结构接触，其中，第一接触结构包括堆叠在沟道区和位线之间的多层的二维半导体材料层，并且第二接触结构包括堆叠在沟道区和电极结构之间的多层的二维半导体材料层。