基于NORD闪存工艺的PIP电容结构及其制造方法

本发明提供一种基于NORD闪存工艺的PIP电容结构及其制造方法。所述结构包括：衬底及隔离结构；第一导电结构，位于隔离结构之上并界定出沟槽区域；绝缘介质组件，位于沟槽侧壁；第二导电结构，填充于沟槽内。所述制造方法包括：在衬底中形成隔离结构；在隔离结构上形成叠层；图案化叠层以形成沟槽；在沟槽侧壁形成绝缘介质组件；在沟槽内填充第二导电材料。本发明利用NORD工艺自对准特性，无需额外光罩，降低了制造成本，并利用隔离结构有效降低了对衬底的寄生电容，具有高密度和高可靠性。