栅氧质量优化方法

本发明公开了一种栅氧质量优化方法，包括：提供半导体衬底并在半导体衬底的表面形成含硅消耗层，半导体衬底中含有硅元素和不能被完全氧化的元素，含硅消耗层所含元素都能被完全氧化；进行热氧化形成栅氧化层，热氧化将含硅消耗层完全氧化以及对半导体衬底表面不氧化或部分氧化，通过对含硅消耗层的热氧化来消除直接对半导体衬底进行热氧化时在半导体衬底和栅氧化层的界面处形成的由半导体衬底中不被完全氧化的元素形成的界面缺陷；在NO气氛下对栅氧化层进行退火，通过退火将N扩散到半导体衬底和栅氧化层的界面以部分分解界面缺陷。本发明能降低界面缺陷，从而能优化栅氧质量。