半导体制造方法及半导体装置

一种半导体制造方法及半导体装置，该方法包括：在一基体上方形成交替的纳米结构通道与牺牲层的一堆叠；形成延伸穿过该堆叠的一源极/漏极开口；通过使一第一气体在该源极/漏极开口中流动而在所述纳米结构通道上形成各自的第一介电层；通过使包括该第一气体及一第二气体的一第一气体混合物在该源极/漏极开口中流动而在所述牺牲层上形成第二介电层；通过使包括该第一气体及一第三气体的一第二气体混合物在该源极/漏极开口中流动而自所述牺牲层移除所述第二介电层；在移除所述第二介电层之后，通过使所述牺牲层凹入而形成内间隔体开口；以及在所述内间隔体开口中形成内间隔体。