低压PNP结构的ESD器件

本发明公开了一种低压PNP结构的ESD器件，在一半导体衬底中包含有N阱，在所述的N阱中衬底表面处具有多个STI隔离结构，在多个所述的STI隔离结构之间所形成的隔离区域的衬底中具有多个重掺杂P型区；在最外围靠近N阱边缘的STI隔离结构之间为重掺杂N型区；所述的最外围的重掺杂N型区与距其最近的重掺杂P型区短接引出形成高电位端口，位于N阱中心区域的多个重掺杂P型区，以交替间隔的方式分别接高电位端口和低电位端口；所述的N阱中的多个重掺杂P型区，所有接低电位端口的重掺杂P型区下方还具有N型掺杂区；所述的ESD器件的击穿电压可通过所述N型掺杂区的掺杂浓度进行调整。