半导体装置

提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括晶体管以及第一绝缘层。晶体管包括导电层及金属氧化物层。第一绝缘层位于导电层上。第一绝缘层具有与导电层的顶面接触的端部。第一绝缘层包括第二绝缘层及第二绝缘层上的第三绝缘层。金属氧化物层具有与导电层的顶面接触的端部、与第二绝缘层的侧面接触的端部、与第三绝缘层的侧面接触的端部及与第三绝缘层的顶面接触的端部。第三绝缘层具有含氢量比第二绝缘层多的区域。