一种氧化锆中晶格应变的调控方法

本发明公开了一种氧化锆中晶格应变的调控方法，属于氧化物材料制备与缺陷工程领域。先利用不同氧空位电荷态构筑具有不同晶格畸变的氧化锆中间体，再于氧气饱和气氛中采用石墨舟进行焦耳热处理，设备输出参数为30V、300A，8秒至12秒升至1000°C，不保温，停止加热后自然冷却，使氧空位相关顺磁信号淬灭并保留不同程度的晶格应变。以Zr(OH)与NHCl或NaCl分别按质量比1:20制得F‑ZrO或F‑ZrO中间体，经处理分别获得HStrained‑ZrO和LStrained‑ZrO，微应变分别为0.40%和0.18%。能够在降低氧空位相关缺陷干扰的同时调节氧化锆的残余应变。