一种用于半导体领域的高性能发泡树脂及其制备方法

本发明涉及一种用于半导体领域的高性能发泡树脂及其制备方法，属于及高分子材料加工及半导体制造辅助材料技术领域。本发明的高性能发泡树脂的制备：采用超临界状态的物理发泡剂进行发泡；发泡温度Tf按照以下确定：Tc + α·(Tm ‑ Tc) ≤ Tf ≤ Tm ‑ β·(Tm ‑ Tc)；其中，α=0.60～0.85，β=0.15～0.40，且α与β满足α+β=1；所述发泡方法仅以超临界CO或超临界N作为纯物理发泡剂。该纯物理发泡方式，使高性能树脂在获得高发泡倍率的同时，维持规则制品的形状稳定性，以满足半导体制造环境对材料洁净度、尺寸精度和隔热/绝缘性能的严苛要求。