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Dossier
半导体器件的制作方法及半导体器件
InventionUnknown
10Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
蒋文娟; 李千诚; 吴爱春; 王旭; 丁超; 陈野
Filing Date
Apr 18, 2025
Publication Date
Oct 27, 2026
IPC Classification
H10W 10/00 (2026.01)H10W 10/17 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/83 (2025.01)
本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括有源区，所述衬底中设有围绕所述有源区设置的隔离沟槽；对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面进行自对准化学键合，形成覆盖所述界面的自对准化学键合层；在所述有源区形成器件结构。本申请能够提高器件的阈值电压的均匀性和稳定性，从而提高器件良率和可靠性。
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