株式会社力森诺科

本发明提供树脂成形品。所述树脂成形品具有主体部和突出部，所述主体部具有设计面和相反面，且在内部形成有第一发泡层，所述突出部设置于所述主体部的周缘部，且在所述主体部的厚度方向上向与所述设计面相反一侧突出，在所述相反面上的所述突出部的根部具有从所述相反面的表面朝向所述主体部的厚度方向侧凹陷的凹部，所述根部为所述突出部的与从所述设计面连续的一面相反的面一侧的根部。

本发明涉及一种单体组合物，其是用于含浸于多孔质成形体中的空隙中的单体组合物。成形体含有金属粉末及热固性树脂组合物。单体组合物含有选自由具有二环戊烷结构的丙烯酸酯、具有二环戊烯结构的丙烯酸酯、具有二环戊烷结构的甲基丙烯酸酯及具有二环戊烯结构的甲基丙烯酸酯组成的组中的至少一种化合物。

一种卷绕体（1），其具备：卷芯（3），具有包括能够卷绕层叠膜（2）的外周面（31a）的筒状部（31）；及层叠膜（2），卷绕于外周面（31a），在外周面（31a）设置有台阶部（32），该台阶部（32）是由于相对于第1端（e1），第2端（e2）在径向（R）上隆起而形成的，在台阶部（32）中，由第2端（e2）形成的隆起部分（32a）相对于第1端（e1）在径向（R）上不重叠，当从轴线方向（Z）观察筒状部（31）时，台阶面（32b）相对于通过第1端（e1）的径向（R）的线（L1）向第2端（e2）侧倾斜，层叠膜（2）相对于外周面（31a）向与台阶面（32b）倾斜的方向相反的方向卷绕，台阶部（32）的高度（H1）为层叠膜（2）的厚度（T1）的1.05倍以上且1.8倍以下。

提供能够在碳材料存在下或氧化硅材料存在下使用氟化碘以高的蚀刻速度将硅进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法具备使用将蚀刻气体等离子体化而获得的等离子体，在碳材料或氧化硅材料的存在下进行硅的等离子体蚀刻的蚀刻工序。蚀刻气体含有氟化碘和含氢化合物，含氢化合物为在分子内具有氢原子并且在分子内不具有氧原子的化合物。

一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：（a）准备层叠体，该层叠体具备半导体晶圆及配置于半导体晶圆上的黏合剂层；（b）通过对层叠体进行切割来获得多个带黏合剂片的芯片，该带黏合剂片的芯片具备半导体芯片及配置于半导体芯片上的黏合剂片；及（c）将带黏合剂片的芯片接合于接合对象物，黏合剂层及黏合剂片均含有具有黏合性的树脂成分及分散于树脂成分中的填料，在（b）工序实施后且（c）工序实施前，向黏合剂片的表面照射等离子体，或者在（b）工序实施前，向黏合剂层的表面照射等离子体。

一种半导体封固成型用临时保护膜，其具备支撑膜及设置于支撑膜的单面或两面上的黏合层，在形成封固搭载于引线框架的芯片焊盘上的半导体元件的封固层的封固成型期间，用于临时保护引线框架的与半导体元件相反的一侧的面。黏合层包含热塑性树脂及分子量小于1000的化合物即低分子成分。低分子成分中的总氯含量为12.5质量%以上。

一种感光性元件（10），其具备：支撑膜（12）、配置于支撑膜（12）上的正型感光性树脂膜（14）及配置于感光性树脂膜（14）上的保护膜（16），感光性树脂膜（14）的平均厚度为150μm以上。一种感光性元件（10）的制造方法，其具备：通过在支撑膜（12）上涂布正型感光性树脂组合物之后对感光性树脂组合物进行干燥而形成平均厚度150μm以上的感光性树脂膜（14）的工序；及将保护膜（16）配置于感光性树脂膜（14）上的工序。

一种感光性元件（10），其具备：支撑膜（12）、配置于支撑膜（12）上的感光性树脂膜（14）及配置于感光性树脂膜（14）上的保护膜（16），支撑膜（12）及保护膜（16）中的至少一者为与感光性树脂膜（14）相接的平均厚度为30μm以上的聚丙烯膜，感光性树脂膜（14）的平均厚度为80μm以上。

本发明涉及一种感光性元件及其制造方法，所述感光性元件具备支撑膜、配置于支撑膜上的正型感光性树脂膜及配置于感光性树脂膜上的保护膜，感光性树脂膜的平均厚度为80μm以上，感光性树脂膜含有有机溶剂，所述有机溶剂的含量以感光性树脂膜的总量为基准，为7.0质量%以上且小于18.0质量%。