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本发明提供了一种12寸晶圆远程等离子体去胶设备及去胶方法，所述设备包括：真空腔体系统、三级匀流与精密温控系统以及晶圆承载与双区温控系统。本方案中，通过远程自由基产生与低损伤传输、三级匀流与精密温控、栅格复杂多级孔洞主动均流、热盘侧出线及双区加热等设计，能够解决了现有技术中均匀性差、损伤风险高、可靠性不足的问题，有利于实现整片12寸晶圆的均匀、低损伤、高可靠性去胶。

本发明提供了一种针对晶圆表面温度的控制方法、装置及设备，所述方法包括：获取晶圆升降杆高度与晶圆表面温度的对应关系；根据所述对应关系以及晶圆表面目标温度，确定与所述晶圆表面目标温度匹配的晶圆升降杆目标高度；将所述晶圆升降杆高度调整至所述晶圆升降杆目标高度。本方案中，通过预先确定好晶圆升降杆的高度与晶圆表面温度的对应关系，从而实现在需要控制晶圆表面温度达到某一目标温度时，直接根据对应关系调整晶圆升降杆的高度，即可实现将晶圆表面温度控制在目标温度，能够有效避免接触式导热造成的产能影响。

本发明提供了一种针对晶圆温度的控制方法、装置及系统，所述方法包括：监测背氦流量，所述背氦流量用于指示静电卡盘与晶圆之间的吸附力；在所述吸附力与标准吸附力不一致的情况下，调整所述吸附力，以使得所述吸附力与所述标准吸附力一致，所述吸附力与所述标准吸附力一致用于间接反映晶圆之间的温度一致。本方案中，通过监测背氦流量来衡量晶圆与ESC的贴合程度，保证ESC与晶圆间的热传递始终保持在标准范围内，进而保证晶圆与晶圆间温度一致性以及晶圆温度均匀性。