원래 이름 기록: 甬江实验室

本申请公开了一种带下电极的薄膜铌酸锂MEMS器件的制备方法、MEMS器件及应用，属于MEMS器件技术领域。该制备方法包括：提供铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的一侧表面制备盲孔，以及沉积第一金属材料以完全填充盲孔；对铌酸锂晶圆的表面进行抛光以去除铌酸锂晶圆表面多余的第一金属材料；在铌酸锂晶圆上依次制备下电极层、制备衬底，使下电极层覆盖盲孔；对铌酸锂晶圆背离盲孔一侧的表面进行减薄至暴露盲孔的截面，得到带下电极的薄膜铌酸锂MEMS器件。本申请通过第一金属材料填充铌酸锂盲孔、CMP的方法，以填充的第二金属材料作为导线层实现对下电极的引出，并保证了沉积下电极层表面的平整度，有利于器件的功能实现以及稳定性。

本申请公开了一种气体泄露处理装置，属于半导体制造技术领域。所述气体泄露处理装置包括底座、盖体、抽气管和取样管，所述底座用于承载气瓶；所述盖体活动设置于所述底座，用于盖合于所述气瓶的顶部并形成密封腔；所述抽气管设置于所述盖体并与所述密封腔可选择地连通；所述取样管设置于所述盖体并与所述密封腔可选择地连通。通过底座、盖体、抽气管和取样管的协同作用，提升了气体泄露时的应急响应的效率、安全性和可靠性。

本发明涉及一种钠离子电池及其应用，所述钠离子电池包括正极片、隔膜、负极片、电解液以及电流中断装置，其中，所述钠离子电池满足以下两个条件：（1）所述正极片的正极活性材料层中含有产气颗粒和助剂，其中，所述产气颗粒选自碳酸钠和/或草酸钠，所述助剂选自氯化铁和/或氯化铝，所述产气颗粒在所述正极活性材料中的质量分数大于所述助剂在所述正极活性材料层中的质量分数，且所述正极活性材料层中产气颗粒和助剂的质量分数之和在4%以内；（2）所述电流中断装置的触发阈值为0.55MPa‑0.85MPa。本发明的钠离子电池通过优化电芯内部产气机制与CID触发阈值的协同作用，能够解决传统钠离子电池在过充及热滥用工况下的安全隐患。

本申请涉及增材制造技术领域，公开一种3D打印喷头、系统及低温等离子体射流3D打印装置，该3D打印喷头，包括：喷头主体及等离子体发生模块；喷头主体上设有气溶胶通入口及等离子体气源通入口；喷头主体中设有气溶胶通道及等离子体气源通道；等离子体发生模块包括内电极和外电极，且形成等离子体激发区，从等离子体气源通入口通入的气体在等离子体激发区被等离子体发生模块激发为等离子体射流；气溶胶经过气溶胶通道后，与等离子体射流耦合并喷出。本申请的优点在于，该3D打印喷头能够实现有机导电聚合物、金属盐溶液、纳米颗粒浆料等材料在柔性基底上，尤其是不耐高温基底上的3D打印，且打印精度高、集成度高，结构紧凑。

本申请公开了硅碳材料及其制备方法和应用。一种硅碳材料，包括碳材料内核，以及至少覆盖所述碳材料内核部分表面的包覆层；所述包覆层包括二氧化硅，所述碳材料内核包括sp杂化态碳；所述碳材料内核与所述包覆层之间具有C‑O‑Si共价键。由此，本申请的硅碳材料具有高碳化率、低介电常数、高机械强度及低热膨胀系数等优势，展现出优异的综合性能。

三维生物组织自动化培养设备、智能制造系统及培养方法，属于生物医学工程领域。现有的三维生物组织培养存在培养效率低、批量化困难、难以满足高通量和一致性的需求。本申请的操作室设有操作平台，试剂耗材架、平动滑台、培养皿放置架和培养箱依次安装于操作平台上；试剂耗材架用于保存试剂；平动滑台上安装有用于细胞团脱水的脱水机构，脱水机构上安装有用于三维生物组织培养的阵列块；培养皿放置架用于放置培养皿，培养箱用于三维生物组织培养；移液机构设于操作平台，用于吸取细胞液或培养液并注入到阵列块中；图像采集机构设于平动滑台的一侧，用于识别阵列块上凹坑的位置；自动操作手设置于操作平台，用于阵列块和培养皿的操作。

本申请公开了碳化钽/石墨复合材料及其制备方法。所述碳化钽/石墨复合材料包括石墨基体、铪掺杂碳化钽膜层和碳化钽膜层，所述铪掺杂碳化钽膜层位于所述石墨基体和所述碳化钽膜层之间。铪掺杂碳化钽膜层具有一定的塑性（延展性），作为缓冲层，设置在石墨基体和碳化钽膜层之间，在复合材料使用过程中，可以缓解升温、降温过程中的热应力积累，从而提升复合材料的抗热冲击性能，延长膜层和复合材料的使用寿命。

本申请提供一种图案化方法及半导体器件。该图案化方法包括提供铌酸锂层；执行第一刻蚀工艺，图案化铌酸锂层，以在铌酸锂层内形成初始沟槽，初始沟槽的内侧壁的至少部分区域具有起伏的表面轮廓；表面轮廓具有波峰和波谷；形成阻挡层，阻挡层覆盖在初始沟槽的内侧壁上，阻挡层的材质与铌酸锂层的材质不同；执行第二刻蚀工艺，至少去除阻挡层以及铌酸锂层的波峰，以形成沟槽；沟槽的内侧壁的粗糙度为亚纳米级，且沟槽的内侧壁与铌酸锂层垂直；在执行第二刻蚀工艺时，阻挡层的刻蚀速率均小于铌酸锂层的刻蚀速率。本申请同时平衡刻蚀侧壁的垂直度和表面粗糙度。

本申请公开了一种集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用，属于芯片液冷式散热技术领域。该微流控液冷散热模块包括微流控基底、压电薄膜；所述压电薄膜覆盖于所述微流控基底一侧的表面；所述微流控基底朝向所述压电薄膜一侧的表面设置有凹槽通道；所述压电薄膜和所述凹槽通道围成的回路空腔形成微流道；在所述压电薄膜背离所述微流控基底一侧的表面上，与所述微流道相对应的不同位置分别设置有金属电极层、热源区域、换热区域。本申请的微流控液冷散热模块能够主动驱动冷却液流向热源区域，相较于传统的微流道散热方式，在驱动流体上具有很高的灵活性，且无需外部驱动泵，能够极大缩小封装芯片的尺寸，有利于芯片集成化以及微型化的发展。

本申请涉及半导体工艺技术领域，公开了混合集成光学陀螺芯片、制备方法及光学陀螺，该混合集成光学陀螺芯片包括：沿第一方向多层堆叠式设置的多功能光学模块、发光模块、电路模块、探测器模块、光纤；其中，所述发光模块设置有第一耦合端口，所述探测器模块设置有第二耦合端口，所述多功能光学模块设有第三耦合端口和第四耦合端口，且满足以下条件的至少一种：所述第一耦合端口和所述第三耦合端口之间通过第一三维聚合物波导连接；所述第二耦合端口和所述第三耦合端口之间通过第二三维聚合物波导连接；所述第四耦合端口和所述光纤之间通过第三三维聚合物波导连接。该混合集成光学陀螺芯片体积小、具有优异的热机械稳定性以及测量精度。

本申请提供了一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。制备方法：提供In掺杂氧化镓靶材，其结构式为(InGa)O，0＜x≤0.05，其中In掺杂的浓度≤5%摩尔比；将In掺杂氧化镓靶材沉积在衬底上，生长In掺杂氧化镓薄膜。还公开了根据上述方法制备的n型氧化镓薄膜，及该薄膜在制备紫外光电子器件中的应用。本申请的In掺杂方案适用于制备不同晶相的超宽禁带低阻氧化镓薄膜，且在不同类型的异质衬底上有较高的电导率，可有效支撑不同类型的电子器件研发；本申请通过调控In掺杂浓度，可以有效调节薄膜电导率和光学特性，制备工艺简单，具有良好的普适性。

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及电子设备。半导体器件包括器件主体、芯片层和第一散热件。芯片层运行过程中产生的热量可以传导至第一散热件。散热流体可以流经第一散热件的表面，第一散热件中的第一扰流部凸起于第一基层部的一侧设置，使得第一散热件的表面积更大，这样第一散热件与散热流体的接触面积更大，从而可以提高第一散热件与散热流体的热交换效率。第一散热件中的第一扰流部与第一基层部的一侧呈小于90度的夹角设置，第一扰流部可以引导散热流体的流向，使得散热流体可以冲刷第一基层部的表面，对第一基层部的剪切作用力更大，这样可以降低散热流体的热边界层的厚度，提升散热流体与第一散热件接触时的对流传热效率。

本申请公开导电氮化硅复合陶瓷及其制备方法和应用。一种制备导电氮化硅复合陶瓷的方法，包括：对第一陶瓷粉体进行表面氧化处理，以得到具有氧化膜层的第一陶瓷粉体；将第二陶瓷粉体与具有氧化膜的第一陶瓷粉体进行混合处理，以得到混合物；在1700℃‑2500℃条件下，对混合物进行加热处理，以得到前驱体；对前驱体进行烧结处理，以得到导电氮化硅复合陶瓷；其中，第一陶瓷粉体包括α‑SiN，第二陶瓷粉体包括金属氧化物陶瓷，氧化膜层包括氧化硅，氧化膜层具有活性位点；导电氮化硅复合陶瓷在室温下的体积电导率不低于1×10S/m，导电氮化硅复合陶瓷在1000 ℃下的体积电导率不低于1×10S/m。本申请制备的导电氮化硅复合陶瓷兼具优良力学性能与高导电性。

本申请属于陶瓷材料领域，公开了一种氮化硅陶瓷的还原烧结方法及其应用。该方法通过在陶瓷粉体中引入特定还原剂，有效清除表面氧，抑制晶界玻璃相形成，并通过气相传输机制显著促进烧结致密化过程。所制备的氮化硅陶瓷晶粒尺寸≤200 nm，本申请制备得到的氮化硅陶瓷兼具优异的力学性能和热学性能：致密度≥98%、抗弯强度≥1000 MPa、断裂韧性≥9 MPa·m、硬度≥1800 HV1.0、残留氧化物含量≤3%、热导率≥80 W/m·K。该材料适用于航空航天发动机部件、精密机械轴承、切削刀具、生物医学植入物及电子封装热管理材料等领域。

本申请公开了一种应用于视频透视头戴显示设备的图像处理方法、显示方法、设备及介质，设备包括眼动追踪模块、深度感知模块和外部场景相机，处理方法包括：通过眼动追踪模块获取用户的注视点，通过深度感知模块获取注视深度，通过外部场景相机拍摄现实图像；根据第一映射关系库确定注视点和注视深度对应的第一目标点扩散函数，第一映射关系库包括外部场景相机在不同模拟注视点和模拟注视深度下的第一点扩散函数；基于第一目标点扩散函数对现实图像去模糊，得到去模糊图像；对去模糊图像和虚拟图像融合、预校正，得到预校正后的融合图像。本申请公开的方案，通过现实图像去模糊及显示光路预校正解决多重光路像差耦合问题，提高融合图像质量。

本申请实施例提供一种认证方法、数据处理方法、网络系统、传感器及计算设备，涉及身份认证技术领域。该方法包括：目标设备接收验证端发送的包括目标激励信号的认证指示信息。目标设备根据目标激励信号得到目标设备的初始PUF响应数据集，并对初始PUF响应数据集进行重采样处理，得到目标PUF响应数据集，目标PUF响应数据集中数据的正态分布范围小于初始PUF响应数据集中数据的正态分布范围。然后，根据目标PUF响应数据集确定目标设备的目标PUF响应数据后向验证端发送目标PUF响应数据，以使验证端基于目标PUF响应数据对目标设备的身份进行认证。本申请的方法，提升了PUF认证的稳定性和有效性。

本申请公开了一种具有宽频响应的压电MEMS声波发射单元及MEMS器件，属于微机电系统技术领域。该压电MEMS声波发射单元采用环状压电驱动结构与高杨氏模量薄膜的复合设计方案，通过优化振动耦合机制，实现了宽频带与高声压输出的协同提升；整体结构设计兼容标准MEMS工艺，在保持器件微型化的同时，显著提升了工作带宽和声压输出性能。该技术方案特别适用于超声检测/成像，以及压电MEMS扬声器等专业领域，为高性能压电式微机械声波发射单元的发展提供了新的技术路径。

本申请提供一种电压可调的光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域。该电压可调的光伏电池包括：衬底；多个子电池，各子电池依次层叠设置于衬底上，每个子电池的上表面均具有位于上方相邻的子电池之外的台阶面；多个隧道结，每相邻两个子电池之间设置一隧道结；底电极，设置于衬底背离子电池的一侧；以及多个可调电极，各可调电极分别连接于每一子电池，且对应可调电极位于对应台阶面。该光伏电池可以根据需求选择不同的电路接入点，从而实现输出电压的灵活调节，且制作简单、可靠性高，经济性更好。

本申请提供一种引线键合机穿线装置以及引线键合机，具体涉及引线键合技术领域。引线键合机穿线装置包括底座、劈刀组件和引线。其中，底座上固定有杆体，杆体在第一方向上开设有第一通孔。劈刀组件包括劈刀主体和漏斗结构，劈刀主体的一端穿设于第一通孔，并与漏斗结构固定相连，漏斗结构具有容纳腔，劈刀主体在第一方向上开设有第二通孔，容纳腔和第二通孔相连通。引线沿着容纳腔和第二通孔依次穿设。通过在劈刀主体上设置漏斗结构，改善了传统引线穿孔错位碰撞而带来的弯曲，使得引线有较大的穿孔孔径，能够顺势划入劈刀主体的孔径中，避免因重复修剪引线工作带来的浪费，以及劈刀主体内部的引线堵塞，提高了引线键合效率和劈刀主体的使用寿命。

本申请涉及一种深硅刻蚀方法，通过在多层掩模体系中引入中间牺牲层，并经湿法刻蚀，使所述牺牲层通孔内凹于所述硬掩模层通孔和光刻胶层通孔，在所述光刻胶层上形成“悬臂”特征的结构。一方面，由所述光刻胶层及其通孔、牺牲层及其通孔和硬掩模层及其通孔构成了离子筛选结构，能够在利用Bosch深硅刻蚀工艺刻蚀硅通孔过程中的离子入射路径上对斜向粒子实施有效阻挡与耗散，仅使高方向性、近垂直入射的离子通过，从而构建具有空间角度限制功能的准直通道。另一方面，内凹的牺牲层通孔设计，能够吸收大部分因光刻胶层造成的反溅离子，从而优化因反溅粒子引发的侧壁粗糙、弯折或起伏等缺陷问题。