半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件

本发明涉及一种半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件，所述制造方法包括：形成第一目标膜层；根据斜坡台面的顶面设计形状和顶面设计尺寸，对所述第一目标膜层进行光刻和第一干法刻蚀，第一干法刻蚀后剩余的第一目标膜层为第一目标结构；所述第一目标结构的顶面形状和顶面尺寸与所述顶面设计形状和顶面设计尺寸相同；在所述第一目标结构上形成目标厚度的第二目标膜层，所述目标厚度根据斜坡台面的斜坡设计角度确定，所述第二目标膜层与所述第一目标膜层的材料相同；对所述第二目标膜层进行第二干法刻蚀，形成斜坡台面，所述斜坡台面的斜坡部包括第二干法刻蚀后剩余的第二目标膜层。本发明可以较为准确地控制形成的斜坡角度。