半导体装置

实施方式的半导体装置具有：氮化物半导体层；第一绝缘膜，设置在氮化物半导体层上；第一电极，位于第一绝缘膜之上，与氮化物半导体层电连接；第二电极，位于氮化物半导体层之上，与氮化物半导体层电连接；第三电极，具有第一部分和第二部分，第一部分位于氮化物半导体层之上，与氮化物半导体层电连接，第二部分位于第一部分上，第二部分在第一电极和第二电极排列的方向即第一方向上的长度比第一部分在第一方向上的长度长；以及一层第二绝缘膜，设置在氮化物半导体层之上，与第一部分的朝向第一电极侧的面及第二部分的朝向氮化物半导体层侧的表面相接。