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Dossier
半导体装置及其制造方法
InventionUnknown
27Claims · 4 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
加藤由明; 吉田弘; 西尾明彦; 林茂生
Filing Date
Mar 24, 2025
Publication Date
Oct 27, 2026
IPC Classification
H10D 30/47 (2006.01)
半导体装置（1）具备：沟道层（14）；势垒层（16），设置于沟道层（14）的上方，带隙比沟道层（14）大；p型半导体层（18），设置于势垒层（16）的上方；源极电极（32）以及漏极电极（34），以将p型半导体层（18）夹在中间的方式设置；i型的含Al层（20），设置于p型半导体层（18）的上方，带隙比p型半导体层（18）大，包含Al；i型的不含Al层（22），设置于含Al层（20）的上方，不包含Al；以及栅极电极（30），设置于不含Al层（22）的上方。
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